پایداری سامانه اندازه گیری طول عمر پوزیترون و بررسی نوع و غلظت عیب ناشی از تابش الکترون های ۱۰ مگا الکترون ولتی بر نمونه های سیلیکونی نوع n و p

طیف سنجی طول عمر نابودی پوزیترون در ماده، یکی از روش های با ارزش و غیر مخرب در زمینه مطالعه مواد است که می تواند اطلاعاتی در مورد چگالی الکترونی، غلطت عیب، نوع عیب و اتم های اطراف عیب ارائه دهد. در این تحقیق، پایداری زمان سنجی دستگاه بررسی و اثبات شده است. قدرت تفکیک زمانی دستگاه با چشمه کبالت، 365 پیکوثانیه به دست آمده است. نمونه های سیلیکونی نوع n و p تحت تابش باریکه الکترون با مقادیر دز تابشی متفاوت 3، 12 و 30 کیلوگری با انرژی mev 10 و حداقل جریان باریکه ma 2/0 قرار گرفته است. آمار جمع آوری شده برای هر نمونه، حداقل یک میلیون و دویست هزار شمارش است که معمولا طی یک شبانه روز ثبت می شود. طیف های ثبت شده، با برنامه رایانه ای pascualبه سه مؤلفه طول عمر برازش، تجزیه و تحلیل شده است. اولین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون درچشمه و حدود ps 186، دومین مؤلفه طول عمر مربوط به نابودی پوزیترون در حجم نمونه و حدود ps218 و سومین مؤلفه طول عمر، مربوط به نابودی پوزیترون در عیوب است که برای نمونه های مختلف، کوچک و متفاوت می باشد.